英特尔被控侵犯中科院微电子所FinFET专利 赔偿或超2亿元

这是英特尔为应对微电子所2018年发起的专利侵权诉讼而采取的措施。在此之前,英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请,均以失败告终。复审委最新的审查决定尚未发布,不过结果或许没有太多悬念。

在被中美两地专利审查及复审机关多次驳回无效请求之后,英特尔在与微电子所的专利诉讼中已没有多少腾挪余地,一再对同一专利提出无效申请亦不乏刻意拖延之嫌。诉讼虽然尚未有结果,不过英特尔已先行向被“连累”的“友军”做了赔偿承诺。而一旦败诉,英特尔要面对的可能不止是天价专利侵权赔偿,更是酷睿系列处理器——这个几乎承载了英特尔最荣光岁月的产品系列——被禁售的可能性,或者被迫和解而必须付出的其他代价。

英特尔VS微电子所

事情肇始于2018年2月呈送于北京高院的一纸发明专利侵权诉讼。诉讼原告为微电子所,被告为英特尔、戴尔(中国)有限公司(下称“戴尔”)和北京京东世纪信息技术有限公司(下称“京东”)。微电子所诉称,英特尔酷睿(Core)系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利,要求英特尔停止侵权,赔偿至少2亿元人民币,并承担诉讼费用,同时申请法院下达禁令。

2018年4月24日,北京高院开庭审理了一次,审判日期尚未确定。在此期间,英特尔为应对诉讼做了大量工作。2018年3月,英特尔首次向复审委对FinFET专利提出无效申请,当年9月,复审委组织口审。次年1月31日,复审委发布审查决定书,维持FinFET发明专利权有效。随即,英特尔第二次向复审委提交FinFET专利无效申请。此次无效审查仍在进行中,已经过口审,审查决定尚未发布。

与此同时,2018年9月和2019年3月,英特尔先后两次向美国专利商标局(下称“USPTO”)提交申请,申请FinFET专利的美国同族专利9070719(下称“719专利”)无效。USPTO分别于2019年3月和9月驳回英特尔申请。英特尔对此结果并不接受,分别于2019年4月和11月,向USPTO及其POP提交复审请求和请愿书,质疑USPTO的审查决定。2020年1月,USPTO驳回英特尔对2019年4月提出的复审请求。6月,美国专利审判和上诉委员会(下称“PTAB”)驳回英特尔重审请求。

至此,从中国到美国,除了行政诉讼手段,英特尔几乎用尽了所有可能将专利侵权诉讼消弭于无形的手段,结果不容乐观。以不同理由,在不同区域对同一专利提起无效申请,固然起到缓兵之计的效果,但接下来英特尔所能选择的应诉手段已经极为有限了。

绕不开的FinFET工艺

在多次复审中,FinFET专利已经证明了其非比寻常的专利稳定性。试图通过申请专利无效避免侵权诉讼已经几乎被证伪,而在与微电子所的侵权诉讼中,英特尔同样没有足够胜算。

涉案的FinFET专利是一项与FinFET工艺相关的发明专利,而微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示,中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位,专利申请质量被评估为全球第一。

自2011年22nm工艺节点的第三代酷睿处理器开始采用FinFET工艺,FinFET几乎是全球主流晶圆厂的不二之选。英特尔第三代之后的酷睿系列处理器自然概莫能外。微电子所在专利侵权诉讼中,也提及了酷睿系列处理器。酷睿系列处理器是奠定了英特尔雄霸之路的产品,时至今日,Core i7、Core i5、Core i3等一个个耳熟能详的名字几乎是英特尔的产品名片。此次诉讼波及的酷睿系列产品范围,尚未可知。不过,就FinFET专利的权利保护范围来看,可能所涉颇广。

深圳嘉德知识产权服务有限公司专利主管董琳告诉集微网记者:“从方法角度来看,只要是先在栅极线外侧形成了侧墙之后,再切断(电学隔离)栅极线的FinFET设计,都会落入微电子所FinFET专利保护范围;从结构角度来看,微电子所FinFET专利保护范围包括在同一直线延伸的栅电极两侧具有侧墙且侧墙未将栅电极的隔离端面包围的FinFET设计。”

微电子所在诉讼中请求了禁令和不低于2亿元的赔偿。诉讼请求赔偿额与2018年宣判的另一起FinFET技术侵权案——韩国科学技术院诉三星侵权案——4亿美元赔偿额相比并不高,不过在中国地区的禁令对英特尔来说更为致命。当然,不排除英特尔与微电子所寻求和解的可能性,但可想而知和解同样需要代价。

除了“正主”英特尔之外,此次诉讼还涉及英特尔两家客户戴尔和京东。两家公司已先后向英特尔提出赔偿,英特尔也在2018年4月和10月分别向戴尔和京东承诺了赔偿。

“战争”延续

事实上,上述专利诉讼或许只是开始。

除了尚未宣判的FinFET专利诉讼外,2019年10月,微电子所还向北京知识产权法院提起两起诉讼,指控基于英特尔酷睿i3微处理器制造和销售的产品侵犯了其申请号为201010269260.0(下称“MOSFET专利”)的专利权。其中第一起诉讼被告为联想(北京)有限公司(下称“联想”)和北京佳运汇通科技发展有限公司(下称“佳运汇通”)。另一起被告为英特尔公司、英特尔(中国)有限公司、英特尔中国北京分公司、北京神州数码有限公司(下称“神州数码”)和京东。这两项诉讼都要求禁令加诉讼费用,并保留要求不明数额赔偿的权利。

2020年7月,英特尔就MOSFET专利向中国专利复审委提交了两份无效宣告请求,目前诉讼暂未有进展。不过,2019年12月,联想已向英特尔提出赔偿,后者于今年3月向联想做出赔偿承诺。

据董琳介绍,涉案的MOSFET专利主要涉及半导体平面场效应晶体管,即MOSFET。不同于FinFET沟道的三维设计,MOSFET是一种二维设计,尺寸较大,多用于32nm以前的技术节点。

近年来,中科院微电子所致力于推动专利转化,为此还设立了专利转化机构——中科知识产权管理服务有限公司。此次,与英特尔的诉讼,可能既是对自有知识产权的保护,也是推动专利转化的举措。而凭借IDM模式和其强大的市场控制力,几乎无往不利的英特尔,这一次可能真的遇上了“硬茬子”。

公开信息显示,微电子所专利数量和质量都非常可观。截至目前,微电子所围绕集成电路、高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件,国外专利申请500余件,转让专利158件,达成专利许可1505件。同时,微电子所也不缺乏与国际性大企业进行“专利战”的经验。2017年5月,中科院就曾在深圳和广州对美国LED制造商CREE及其国内子公司发起专利侵权诉讼。(校对/艾禾)

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